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　得られたヘテロ接合型ナノ同軸ワイヤー構造の光機能界面の性質を解明するため，レーザー分光を用
いた光誘起電子移動の解析を行った．犠牲ドナーの1-benzyl-1,4-dihydronicotinamide（BNAH）存在下，可視光レーザー（532 nm）照射によるSWCNT/フラロデンドロン超分子複合体からメチルビオロゲンジカチオン（MV^2＋）への電子移動によるメチルビオロゲンカチオンラジカル (MV^＋•)の蓄積について検討したところ，全く同条件下，フラロデンドロンのみで行った場合のMV^＋•の収率8%に比べ，超分子複合体存在下でのMV^＋•の収率は20%となり，電子移動効率が2 倍以上向上した12）．更に，過渡吸収スペクトルを用いた詳細な解析により，C₆₀-SWCNT 間の光誘起電子移動を経てC₆₀^–•-SWCNT^＋•が生成することも明らかとなった．Tian らは，ナノ同軸ケーブル構造を持つシリコン太陽電池を作製し，高いポテンシャルを立証している13）．ナノ同軸ケーブル構造の優位性は，（1）光の波長よりも小さい領域であるので，散乱による光のロスが少なく，透過性が高い，（2）光機能界面の面積が広い，（3）高いアスペクト比の構造は，電荷分離と電荷の拡散に有利であり，電荷再結合が起こりにくい，とされており，s-SWCNT を基盤とした光触媒能についても大変期待がもてる．